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首页 全部分类 MCH6336-S-TL-E vs NTHS5443T1G

MCH6336-S-TL-E备选型号: NTHS5443T1G

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MCH6336-S-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    3
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.5W
    -5A
    -12V
    43mOhm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS5443T1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.3W
    4.9A
    -20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    2 Weeks
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    C 弯管
    260
    -3.6A
    40
    8
    Single
    增强型MOSFET
    8.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.6A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    12nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±12V
    14 ns
    12V
    0.065Ohm
    1.1mm
    3.1mm
    1.7mm
    无
    无铅
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