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首页 全部分类 MCH6661-TL-W vs BSD316SNH6327XTSA1

MCH6661-TL-W备选型号: BSD316SNH6327XTSA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    MCH6661-TL-W
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    7.512624mg
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    未说明
    未说明
    Dual
    800mW
    3.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    188m Ω @ 900mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    88pF @ 10V
    2nC @ 10V
    3.6ns
    30V
    4 ns
    1.8A
    2.6V
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4V Drive
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD316SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    160m Ω @ 1.4A, 10V
    2V @ 3.7μA
    94pF @ 15V
    0.6nC @ 5V
    2.3ns
    -
    -
    1.4A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    OptiMOS™
    无卤素
    ±20V
    30V
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