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首页 全部分类 MCH6661-TL-W vs DMN3190LDW-13

MCH6661-TL-W备选型号: DMN3190LDW-13

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MCH6661-TL-W
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    7.512624mg
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    未说明
    未说明
    Dual
    800mW
    3.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    188m Ω @ 900mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    88pF @ 10V
    2nC @ 10V
    3.6ns
    30V
    4 ns
    1.8A
    2.6V
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4V Drive
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3190LDW-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    320mW
    260
    30
    -
    -
    4.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    190m Ω @ 1.3A, 10V
    2.8V @ 250μA
    87pF @ 20V
    2nC @ 10V
    8.9ns
    30V
    15.6 ns
    1A
    -
    20V
    -
    逻辑电平门
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    6
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    6
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    1A
    0.19Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无
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