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首页 全部分类 MIC4468YN vs IR2112-1PBF

MIC4468YN备选型号: IR2112-1PBF

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  • 资历状况
  • 输出电压
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  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 驱动器数量
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大电源电流
  • 接通延迟时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • Microchip Technology
    MIC4468YN
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET QUAD 1.2A 14DIP
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    14
    Low-Side
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    14
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    1.5W
    4.5V~18V
    DUAL
    NOT APPLICABLE
    4
    NOT APPLICABLE
    MIC4468
    不合格
    18V
    1.2A
    200μA
    1.5W
    1.2A
    75 ns
    Non-Inverting
    14ns
    13 ns
    14ns 13ns
    和基于栅极的mosfet驱动器
    Independent
    4
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    NO
    0.1 μs
    5.588mm
    7.62mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IR2112-1PBF
    Infineon Technologies
    IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
    -
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm), 13 Leads
    14
    High-Side or Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.6W
    10V~20V
    -
    -
    -
    -
    IR2112-1PBF
    -
    10V
    500mA
    180μA
    1.6W
    200mA
    180 ns
    Non-Inverting
    130ns
    65 ns
    80ns 40ns
    基于半桥的mosfet驱动器
    Independent
    2
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    180μA
    125 ns
    600V
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