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首页 全部分类 MJD210TF vs NJVNJD1718T4G

MJD210TF备选型号: NJVNJD1718T4G

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • ON Semiconductor
    MJD210TF
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
    6 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    260.37mg
    SILICON
    45
    2014
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -40V
    1.4W
    鸥翼
    -5A
    65MHz
    MJD210
    R-PSSO-G2
    Single
    1.4W
    65MHz
    PNP
    PNP
    25V
    5A
    45 @ 2A 1V
    100nA ICBO
    1.8V @ 1A, 5A
    65MHz
    25V
    -40V
    -8V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJVNJD1718T4G
    ON Semiconductor
    Trans GP PNP 50V 3A 3-Pin DPAK T/R
    2 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    -
    50V
    2010
    Tape & Reel (TR)
    -65°C~150°C TJ
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    1.68W
    -
    -
    80MHz
    -
    -
    -
    1.68W
    -
    -
    PNP
    50V
    2A
    70 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    500mV @ 50mA, 1A
    -
    -
    50V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    e3
    Tin (Sn)
  • 添加型号
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