ON Semiconductor NJVNJD1718T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.68W

频率

80MHz

功率耗散

1.68W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅