ON Semiconductor MJD210TF

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

45

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

1.4W

终端形式

鸥翼

额定电流

-5A

频率

65MHz

基本部件号

MJD210

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.4W

增益带宽积

65MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

45 @ 2A 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1A, 5A

转换频率

65MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-8V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅