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MJD243G备选型号: MJD243T4G

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 无卤素
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
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  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    MJD243G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 100V 4A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK Rail
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    4.535924g
    SILICON
    100V
    600mV
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    1.4W
    鸥翼
    260
    4A
    40MHz
    40
    MJD243
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    1.4W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    无卤素
    40MHz
    NPN
    NPN
    100V
    4A
    40 @ 200mA 1V
    100nA ICBO
    600mV @ 100mA, 1A
    40MHz
    100V
    7V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD243T4G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    -
    SILICON
    100V
    600mV
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    100V
    12.5W
    鸥翼
    260
    4A
    40MHz
    40
    MJD243
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    1.4W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    无卤素
    40MHz
    NPN
    NPN
    100V
    4A
    40 @ 200mA 1V
    100nA ICBO
    600mV @ 100mA, 1A
    40MHz
    100V
    7V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    100V
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