ON Semiconductor NSV1C301ET4G
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NSV1C301ET4G
1807-NSV1C301ET4G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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NSV1C301ET4G Series 100 V 3 A Surface Mount NPN Transistor - DPAK-3
--最小包装量--
NSV1C301ET4G详情
ON Semiconductor NSV1C301ET4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
115mV
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
2.1W
频率
120MHz
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
无卤素
无卤素
增益带宽积
120MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300mA, 3A
集电极基极电压(VCBO)
140V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
3A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSV1C301ET4G拓展信息
ON Semiconductor
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