MJD2955G备选型号: NJVMJD2955T4G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
- ON SEMICONDUCTOR - MJD2955G - RF TRANSISTOR, PNP, -60V 2MHZ D-PAKACTIVE (Last Updated: 5 days ago)8 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON60V1.1V-55°C~150°C TJTube2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-60V1.75W鸥翼260-10A2MHz40MJD29553R-PSSO-G2Single1.75WCOLLECTORAMPLIFIER2MHzPNPPNP60V10A20 @ 4A 4V50μA8V @ 3.3A, 10A2MHz70V5V2.3876mm6.7056mm6.223mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- TRANS PNP 60V 10A DPAK-4ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3-60V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-1.75W---2MHz-MJD29553--1.75W---PNPPNP60V10A20 @ 4A 4V50μA8V @ 3.3A, 10A2MHz70V5V----无ROHS3 Compliant无铅Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NJVMJD2955T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 10A DPAK-4 | 对比 |
![]() | MJD2955TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | 2DB1184Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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