ON Semiconductor NJVMJD2955T4G
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NJVMJD2955T4G
1807-NJVMJD2955T4G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS PNP 60V 10A DPAK-4
1最小包装量--
NJVMJD2955T4G详情
ON Semiconductor NJVMJD2955T4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.75W
频率
2MHz
基本部件号
MJD2955
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
1.75W
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A 4V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
转换频率
2MHz
集电极基极电压(VCBO)
70V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NJVMJD2955T4G拓展信息
ON Semiconductor
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