MJD31C1G备选型号: 2SD2653KT146
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 最高频率
- 连续集电极电流
- ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON10V1.2V-65°C~150°C TJTube2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99100V1.56W2603A3MHz40MJD314R-PSIP-T3Single1.56WCOLLECTORAMPLIFIER3MHzNPNNPN100V3A10 @ 3A 4V50μA1.2V @ 375mA, 3A3MHz100V100V5V6.22mm6.73mm2.38mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- TRANS NPN 12V 2A SOT-346-13 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON12V90mV150°C TJTape & Reel (TR)1998e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR9912V200mW2602A-102SD26533-Single--AMPLIFIER360MHzNPNNPN12V2A270 @ 200mA 2V100nA ICBO180mV @ 50mA, 1A360MHz12V15V6V1mm2.9mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅表面贴装锡银铜8541.21.00.75DUAL鸥翼100MHz2A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSS12601CF8T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 8-SMD, Flat Lead | Trans GP BJT NPN 12V 6A Automotive 8-Pin Chip FET T/R | 对比 |
![]() | 2SC5231A-9-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | 3-SMD, Gull Wing | TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP | 对比 |
| 2SD2653KT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 12V 2A SOT-346 | 对比 |




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