ON Semiconductor NSS12601CF8T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.4W

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

频率

140MHz

基本部件号

NSS12601

引脚数量

8

元素配置

Single

功率耗散

1.4W

功率 - 最大

830mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

140MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

120mV @ 400mA, 4A

转换频率

140MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

12V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

690ns

接通时间-最大值(ton)

250ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅