MJD32C-13备选型号: 2SB1202T-TL-E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 类型
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- Reach合规守则
- 频率
- 基本部件号
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- TRANS PNP 100V 3A TO252-3L21 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON100V1.2V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99通用型Matte Tin (Sn)1.56W鸥翼260404R-PSSO-G2SingleCOLLECTOR15WSWITCHING3MHzPNP100V3A10 @ 3A 4V1μA1.2V @ 375mA, 3A3MHz100V100V6V2.4mm6.8mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R2 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-50V-700μV150°C TJTape & Reel (TR)2004e6yes活跃1 (Unlimited)-EAR99-Tin/Bismuth (Sn/Bi)1W-未说明未说明3-Single---150MHzPNP50V3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO700mV @ 100mA, 2A---60V-6V2.3mm6.5mm5.5mm--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)not_compliant150MHz2SB12021WPNP
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KSH42CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 | |
![]() | TTA003,L1NQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD | 对比 |
![]() | 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R | 对比 |




哦! 它是空的。