MJD350T4备选型号: KSH210TM
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- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- HTS代码
- 端子位置
- 配置
- 功率 - 最大
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 辐射硬化
- TRANS PNP 300V 0.5A DPAKOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON300V1V-65°C~150°C TJCut Tape (CT)2005e0noObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)-300V1.56W鸥翼240not_compliant-500mA30MJD3503R-PSSO-G2不合格Single15WCOLLECTORSWITCHINGPNPPNP300V500mA30 @ 50mA 10V100μA300V300V3V无SVHCNon-RoHS Compliant无铅-----------
- PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON45-150°C TJTape & Reel (TR)2002e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-1.4W鸥翼260--30KSH210-R-PSSO-G2-----PNPPNP1.8V5A45 @ 2A 1V100nA ICBO25V-40V-8V-ROHS3 Compliant-6 Weeks表面贴装260.37mg8541.29.00.95SINGLESINGLE1.4W1.8V @ 1A, 5A65MHz65MHz无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KSH210TM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 对比 | |
![]() | KSH2955TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | 对比 |
![]() | 2DB1182Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 32V 2A TO252 | 对比 |





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