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首页 全部分类 MMBT3416LT3G vs MMUN2212LT1G

MMBT3416LT3G备选型号: MMUN2212LT1G

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  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 极性
  • 无卤素
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MMBT3416LT3G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    40V
    300mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    75MHz
    40
    MMBT3416
    3
    Single
    300mW
    AMPLIFIER
    75MHz
    NPN
    NPN
    40V
    100mA
    75 @ 2mA 4.5V
    100nA ICBO
    300mV @ 3mA, 50mA
    4V
    4V
    1.11mm
    3.04mm
    2.64mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMUN2212LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    -
    50V
    250mV
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    50V
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    -
    40
    MMUN22**L
    3
    Single
    246mW
    SWITCHING
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    -
    940μm
    2.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    100mA
    50V
    NPN
    无卤素
    50V
    22 k Ω
    100mA
    22 k Ω
    无SVHC
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