ON Semiconductor MMBT3416LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

频率

75MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBT3416

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

75MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 2mA 4.5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 3mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

4V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

高度

1.11mm

长度

3.04mm

宽度

2.64mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅