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MMBT3906-G备选型号: 2SA1162-Y,LF
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- 终止次数
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- 端子位置
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 频率转换
- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 无铅代码
- 增益带宽积
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
Bipolar Transistors - BJT VCEO=40V IC=100mA10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3200.998119mgSILICON40V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2001e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)200mWDUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G3Single200mWPNPPNP400mV200mA100 @ 10mA 1V100μA400mV @ 5mA, 50mA300MHz300MHz-5V-200mA300ns70nsROHS3 Compliant-----
TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-37.994566mg-50V125°C TJTape & Reel (TR)2006-活跃1 (Unlimited)--150mW-----Single150mW-PNP50V150mA120 @ 2mA 6V100μA ICBO300mV @ 10mA, 100mA--5V---符合RoHS标准100mVyes80MHz50V50V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SST3906T116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 40V 0.2A SST3 | 对比 |
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 |
| 2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 |
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