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MMBT5210备选型号: BC847B-7-F
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 最大结点温度（Tj）
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON50V700mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)50V350mWDUAL鸥翼500mA30MHzMMBT5210Single350mWAMPLIFIER30MHzNPNNPN50V100mA200 @ 100μA 5V50nA ICBO700mV @ 1mA, 10mA30MHz50V50V4.5V930μm2.9mm1.3mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-------
DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE-19 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mgSILICON45V90mV-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99--300mWDUAL鸥翼-300MHzBC847Single310mWSWITCHING300MHzNPNNPN45V200mA200 @ 2mA 5V15nA600mV @ 5mA, 100mA300MHz45V50V6V1.1mm3.05mm1.4mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅TinHIGH RELIABILITY260403不合格150°C- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2484 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BC847B-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 330 hFE | 对比 |
| BC847A-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | 对比 |
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