ON Semiconductor MMBT2484

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

350mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

100mA

基本部件号

MMBT2484

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10μA 5V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 100μA, 1mA

最高频率

140kHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅