MMBTA06备选型号: KST06MTF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最高频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 极性/通道类型
- 转换频率
- TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装Tin3SOT-23-330mg100MHz350mW250mV2000Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJObsolete1 (Unlimited)SMD/SMT150°C-55°C80V500mA100MHzMMBTA06NPNSingle350mW350mWNPN80V500mA100 @ 100mA 1V100nA250mV @ 10mA, 100mA80V100MHz80V100MHz80V4V150°C1.2mm6.35mm6.35mm符合RoHS标准无无SVHC无铅-----------
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor EpitaxialLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装-3-30mg100MHz50250mV2002Tape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)-150°C-80V500mA100MHzKST06-Single350mW-NPN80V500mA50 @ 100mA 1V100nA250mV @ 10mA, 100mA--80V-80V4V-970μm2.9mm1.3mm符合RoHS标准无-无铅6 WeeksSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼NPN100MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KST06MTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 对比 |
![]() | MMBTA05-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3 | 对比 |
![]() | MMBTA05 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |




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