ON Semiconductor MMBTA06
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MMBTA06
1807-MMBTA06
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
--最小包装量--
MMBTA06详情
ON Semiconductor MMBTA06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
350mW
额定电流
500mA
频率
100MHz
基本部件号
MMBTA06
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
最高频率
100MHz
最大击穿电压
80V
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.2mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBTA06拓展信息
ON Semiconductor
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