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首页 全部分类 MMBTH10-4LT1G vs MMBT6521LT1G

MMBTH10-4LT1G备选型号: MMBT6521LT1G

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  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管应用
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MMBTH10-4LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    25V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    4mA
    800MHz
    40
    MMBTH10
    3
    Single
    300mW
    无卤素
    800MHz
    NPN
    NPN
    25V
    120 @ 4mA 10V
    800MHz
    25V
    30V
    3V
    0.025A
    0.7pF
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBT6521LT1G
    ON Semiconductor
    MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    25V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    25V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    -
    40
    -
    3
    Single
    300mW
    -
    -
    NPN
    NPN
    25V
    300 @ 2mA 10V
    -
    -
    40V
    4V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    AMPLIFIER
    100mA
    500nA ICBO
    500mV @ 5mA, 50mA
    Unknown
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