ON Semiconductor MMBTH10LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4mA

频率

650MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBTH10

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

225mW

无卤素

无卤素

增益带宽积

650MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

100nA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

转换频率

650MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最大结点温度（Tj）

150°C

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

高度

1.11mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅