MMBTH11备选型号: KST10MTF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输出功率
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 集电极-基极电容-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 达到SVHC
- Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/RLIFETIME (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON25V500mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2002e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)25V225mWDUAL鸥翼50mA650MHzMMBTH11Single225mW225mWAMPLIFIER650MHzNPNNPN25V50mA60 @ 4mA 10V650MHz25V30V3V50mA0.7pF930μm2.92mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅--
- TRANS NPN 25V 350MW SOT23ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)13 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON25V500mV-Tape & Reel (TR)2002e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)25V350mWDUAL鸥翼4mA650MHzKST10Single350mW350mW-650MHzNPNNPN25V50mA60 @ 4mA 10V650MHz25V30V3V-0.7pF960μm2.9mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅150°C无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | MMBTH24 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | MMBTH10 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANSISTOR RF NPN SOT-23 | 对比 |




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