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1

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500

￥0.465235
1000

￥0.387693
2000

￥0.355687
5000

￥0.332419
10000

￥0.309221
15000

￥0.299058
50000

￥0.294053

Diodes Incorporated MMBTH10-7-F

Name: MMBTH10-7-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 671-MMBTH10-7-F
Price: 0.63 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBTH10-7-F

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-MMBTH10-7-F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

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MMBTH10-7-F Diodes Incorporated Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBTH10-7-F详情

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Diodes Incorporated MMBTH10-7-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

15 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
质量

7.994566mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V
Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV
Number of Elements

1
hFEMin

60
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
附加功能

HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流

25V
最大功率耗散

300mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
额定电流

50mA
频率

650MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

40
基本部件号

MMBTH10
引脚数量

3
元素配置

Single
功率耗散

300mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

650MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

25V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V
转换频率

650MHz
最大击穿电压

25V
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

3V
连续集电极电流

50mA
集电极-基极电容-最大值

0.7pF
高度

1mm
长度

3.05mm
宽度

1.4mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MMBTH10-7-F拓展信息

热销零件