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首页 全部分类 MMDF2P02HDR2G vs IRF7101TRPBF

MMDF2P02HDR2G备选型号: IRF7101TRPBF

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  • 操作模式
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MMDF2P02HDR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    2W
    鸥翼
    260
    unknown
    -2A
    40
    MMDF2P02HD
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    160m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 250μA
    588pF @ 16V
    20nC @ 10V
    66ns
    37 ns
    3.3A
    20V
    0.16Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7101TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    -
    -
    3.5A
    -
    IRF7101PBF
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    320pF @ 15V
    15nC @ 10V
    10ns
    30 ns
    3.5A
    12V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    HEXFET®
    100mOhm
    2W
    6.3 mm
    Dual
    7 ns
    3V
    14A
    20V
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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