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首页 全部分类 MMDF2P02HDR2G vs NTMSD3P102R2SG

MMDF2P02HDR2G备选型号: NTMSD3P102R2SG

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MMDF2P02HDR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -20V
    2W
    鸥翼
    260
    unknown
    -2A
    40
    MMDF2P02HD
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    160m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 250μA
    588pF @ 16V
    20nC @ 10V
    66ns
    37 ns
    3.3A
    20V
    0.16Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMSD3P102R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    -
    2.34A Ta
    -
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -20V
    -
    鸥翼
    -
    -
    -3.05A
    -
    -
    8
    -
    增强型MOSFET
    2W
    P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 3.05A, 10V
    2.5V @ 250μA
    750pF @ 16V
    25nC @ 10V
    42ns
    35 ns
    2.34A
    20V
    0.085Ohm
    -20V
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    FETKY™
    150°C
    -55°C
    DUAL
    R-PDSO-G8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
    135 pF
    无
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