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首页 全部分类 MMDF3N02HDR2G vs IRF7304TRPBF

MMDF3N02HDR2G备选型号: IRF7304TRPBF

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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MMDF3N02HDR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -3.8A
    40
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    2W
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 3A, 10V
    2V @ 250μA
    630pF @ 16V
    18nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    21 ns
    3A
    20V
    0.09Ohm
    20V
    19A
    405 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7304TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    逻辑电平兼容
    -20V
    -
    鸥翼
    -
    -4.3A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    -
    90m Ω @ 2.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    610pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    26ns
    -
    33 ns
    -4.3A
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    HEXFET®
    90mOhm
    2W
    2W
    IRF7304PBF
    Dual
    8.4 ns
    20V
    -700mV
    3.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    84 ns
    逻辑电平门
    -700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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