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首页 全部分类 MMIX1F180N25T vs ECH8697R-TL-W

MMIX1F180N25T备选型号: ECH8697R-TL-W

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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • IXYS
    MMIX1F180N25T
    IXYS
    MOSFET SMPD MOSFETs Power Device
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    24-PowerSMD, 21 Leads
    24
    SILICON
    132A Tc
    5V @ 8mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G21
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13m Ω @ 90A, 10V
    23800pF @ 25V
    364nC @ 10V
    250V
    ±20V
    132A
    30V
    130A
    0.013Ohm
    500A
    250V
    3000 mJ
    5.7mm
    25.25mm
    23.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ECH8697R-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    -
    19.7 μs
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    -
    160 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    11.6m Ω @ 5A, 4.5V
    -
    6nC @ 4.5V
    24V
    -
    10A
    12.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    e6
    yes
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.5W
    not_compliant
    2
    230ns
    23.6 μs
    24V
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    无铅
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