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首页 全部分类 MMST3906T146 vs EMD30T2R

MMST3906T146备选型号: EMD30T2R

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 极性
  • 功率耗散
  • 最小直流增益（hFE）
  • ROHM Semiconductor
    MMST3906T146
    ROHM Semiconductor
    TRANS PNP 40V 0.2A SOT-346
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    40V
    -400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8541.21.00.75
    -40V
    6.2W
    DUAL
    鸥翼
    260
    -20mA
    10
    T3906
    3
    Single
    300mW
    SWITCHING
    250MHz
    PNP
    PNP
    400mV
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    50nA
    400mV @ 5mA, 50mA
    250MHz
    40V
    -40V
    -5V
    -200mA
    0.4 V
    70ns
    4.5pF
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    EMD30T2R
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    -
    SMD/SMT
    6
    -
    30V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    -
    -
    150mW
    -
    FLAT
    260
    -
    10
    -
    6
    Dual
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    300mV
    200mA
    -
    -
    -
    260MHz
    30V
    -
    -
    -200mA
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    NPN, PNP
    150mW
    30
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EMD30T2R EMD30T2R ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 SMD/SMT TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 对比