EMD30T2R
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ROHM Semiconductor EMD30T2R

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型号

EMD30T2R

utmel 编号

2078-EMD30T2R

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SMD/SMT

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD30T2R
EMD30T2R ROHM Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD30T2R详情

ROHM Semiconductor EMD30T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SMD/SMT

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    150mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    200mA

  • 转换频率

    260MHz

  • 最大击穿电压

    30V

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 连续集电极电流

    -200mA

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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