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首页 全部分类 MR0A08BMA35R vs CY62167EV30LL-45BVXI

MR0A08BMA35R备选型号: CY62167EV30LL-45BVXI

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  • 终端
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  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 备用内存宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Everspin Technologies Inc.
    MR0A08BMA35R
    Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
    12 Weeks
    YES
    48-LFBGA
    表面贴装
    48
    Non-Volatile
    2013
    Tape & Reel (TR)
    0°C~70°C TA
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    EAR99
    8542.32.00.71
    3V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    40
    48
    不合格
    3.6V
    3.3V
    3V
    1Mb 128K x 8
    ASYNCHRONOUS
    RAM
    Parallel
    8b
    128KX8
    8
    35ns
    0.007A
    35 ns
    1.35mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY62167EV30LL-45BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62167EV30LL-45BVXI - SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 2.2V to 3.6V, FBGA, 48 Pins, 45 ns
    10 Weeks
    -
    48-VFBGA
    表面贴装
    48
    Volatile
    2001
    Tray
    -40°C~85°C TA
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    2.2V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    30
    48
    -
    3.6V
    -
    2.2V
    16Mb 2M x 8 1M x 16
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    16
    45ns
    -
    45 ns
    -
    8mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    MoBL®
    e1
    yes
    SMD/SMT
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    CY62167
    3V
    1
    30mA
    3-STATE
    20b
    16 Mb
    22MHz
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8
    无SVHC
    无
    无铅
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