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首页 全部分类 MR0D08BMA45 vs CY14V101NA-BA45XI

MR0D08BMA45备选型号: CY14V101NA-BA45XI

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  • 基本部件号
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Everspin Technologies Inc.
    MR0D08BMA45
    Everspin Technologies Inc.
    IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA
    12 Weeks
    表面贴装
    48-LFBGA
    YES
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2000
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    EAR99
    8542.32.00.71
    3V~3.6V
    BOTTOM
    未说明
    1
    3.3V
    0.75mm
    未说明
    48
    不合格
    3.6V
    3.3V
    3V
    1Mb 128K x 8
    55mA
    ASYNCHRONOUS
    RAM
    Parallel
    8b
    128KX8
    8
    45ns
    1 Mb
    0.008A
    45 ns
    8mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY14V101NA-BA45XI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA
    16 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    -
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2009
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    EAR99
    8542.32.00.41
    2.7V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    30
    48
    -
    3.6V
    -
    3V
    1Mb 64K x 16
    -
    -
    NVSRAM
    Parallel
    16b
    64KX16
    16
    45ns
    1 Mb
    0.008A
    45 ns
    10mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    CY14V101
    3.3V
    52mA
    16b
    无
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