CY14V101NA-BA45XI
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Cypress Semiconductor Corp CY14V101NA-BA45XI

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型号

CY14V101NA-BA45XI

utmel 编号

603-CY14V101NA-BA45XI

商品类别

存储器

封装

48-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA

起订量

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CY14V101NA-BA45XI
CY14V101NA-BA45XI Cypress Semiconductor Corp IC NVSRAM 1MBIT 45NS 48FBGA

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CY14V101NA-BA45XI详情

Cypress Semiconductor Corp CY14V101NA-BA45XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFBGA

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    CY14V101

  • 引脚数量

    48

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    1Mb 64K x 16

  • 电源电流

    52mA

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 组织结构

    64KX16

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    45ns

  • 密度

    1 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.008A

  • 访问时间(最大)

    45 ns

  • 字长

    16b

  • 长度

    10mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Cypress Semiconductor Corp & CY14V101NA-BA45XI相似的参数规格。

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CY14V101NA-BA45XI拓展信息

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FM24W256-GTR
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CY62157EV30LL-45ZSXIT
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FM25L16B-GTR
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S29AL016J70TFI020
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CY62256NLL-70PXC
CY62256NLL-70PXC

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FM25CL64B-GTR
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FM25W256-GTR
FM25W256-GTR

Cypress Semiconductor Corp

FM25V02A-GTR
FM25V02A-GTR

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FM24CL04B-GTR
FM24CL04B-GTR

Cypress Semiconductor Corp

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