MR25H256CDF备选型号: 24LC04B-I/MC
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
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- 内存大小
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- 数据总线宽度
- 内存宽度
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- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
- 写入保护
- I2C控制字节
- 宽度
- NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM14 Weeks表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad8Non-Volatile27mA-40°C~85°C TATray2013不用于新设计3 (168 Hours)8EAR99600mW3VDUAL11.27mmSPI, Serial256Kb 32K x 840MHz10 nsRAMSPI8b8256 kb8b3.6V2.7V6mm0.9mm无ROHS3 Compliant无铅---------------
- IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8DFN15 Weeks表面贴装表面贴装8-VFDFN Exposed Pad8Non-Volatile3mA-40°C~85°C TATube2005活跃1 (Unlimited)8EAR99-5VDUAL10.5mmI2C, Serial4Kb 256 x 8 x 2400kHz900nsEEPROMI2C-84 kb---3mm1mm无ROHS3 Compliant无铅Tine3yes2604024LC04B5ms0.000001AI2C1000000 Write/Erase Cycles5ms200HARDWARE1010XXMR2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 24LC024-E/MC | Microchip Technology | 存储器 | 8-VFDFN Exposed Pad | IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8DFN | 对比 |
![]() | 24LC04B-I/MC | Microchip Technology | 存储器 | 8-VFDFN Exposed Pad | IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8DFN | 对比 |
![]() | 24FC64-I/MC | Microchip Technology | 存储器 | 8-VFDFN Exposed Pad | IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8DFN | 对比 |




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