MR4A16BYS35R备选型号: CY7C1069DV33-10ZSXI

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  • 零件状态
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  • 电压 - 供电
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  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 端口的数量
  • 最大电源电流
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 待机电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    54
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    EAR99
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    54
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    180mA
    ASYNCHRONOUS
    RAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    16
    35ns
    16 Mb
    0.014A
    35 ns
    16b
    22.22mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    SRAM, 16MB, PARALLEL, 10NS, 54TSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    54
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    1996
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    54
    -
    3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    40
    54
    -
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 2M x 8
    175mA
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    2MX8
    8
    10ns
    16 Mb
    0.025A
    -
    8b
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    CY7C1069
    1
    175mA
    3-STATE
    21b
    COMMON
    Asynchronous
    2V
    无SVHC
    无铅
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