MR4A16BYS35R备选型号: IS41LV16100C-50TLI

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  • RoHS状态
  • 触点镀层
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  • HTS代码
  • 端口的数量
  • 最大电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    54
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    EAR99
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    54
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    180mA
    ASYNCHRONOUS
    RAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    16
    35ns
    16 Mb
    0.014A
    35 ns
    16b
    22.22mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
    -
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    3V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3.3V
    0.8mm
    -
    44
    -
    3.3V
    3.6V
    3V
    16Mb 1M x 16
    90mA
    -
    DRAM
    Parallel
    16b
    1MX16
    16
    -
    16 Mb
    -
    -
    -
    20.95mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    CAS BEFORE RAS/SELF REFRESH/AUTO REFRESH
    8542.32.00.02
    1
    90mA
    25ns
    10b
    无铅
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