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首页 全部分类 MRF1513NT1 vs IRLML9303TRPBF

MRF1513NT1备选型号: IRLML9303TRPBF

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  • 引脚数
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  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRF1513NT1
    NXP USA Inc.
    Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
    10 Weeks
    PLD-1.5
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    2A
    QUAD
    无铅
    260
    not_compliant
    520MHz
    40
    MRF1513
    R-PQSO-N4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15dB
    2A
    40V
    3W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    31.2W
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML9303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
    12 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    SILICON
    2.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    165MOhm
    Single
    1.25W
    7.5 ns
    P-Channel
    165m Ω @ 2.3A, 10V
    2.4V @ 10μA
    160pF @ 25V
    2nC @ 4.5V
    14ns
    30V
    ±20V
    8.6 ns
    -2.3A
    -1.3V
    20V
    -30V
    12A
    18 ns
    -1.3 V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    无铅
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