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首页 全部分类 MRF1513NT1 vs PD55003TR-E

MRF1513NT1备选型号: PD55003TR-E

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  • 基本部件号
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    MRF1513NT1
    NXP USA Inc.
    Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
    10 Weeks
    PLD-1.5
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    2A
    QUAD
    无铅
    260
    not_compliant
    520MHz
    40
    MRF1513
    R-PQSO-N4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15dB
    2A
    40V
    3W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    31.2W
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD55003TR-E
    STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
    25 Weeks
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    -
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    2.5A
    DUAL
    鸥翼
    250
    -
    500MHz
    30
    PD55003
    R-PDSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    17dB
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    4
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    10
    Single
    31.7W
    40V
    2.5A
    20V
    3W
    40V
    无
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