NXP USA Inc. MRF1513NT1
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MRF1513NT1
1786-MRF1513NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PLD-1.5
大陆
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Lateral N-Channel Broadband Rf Power Mosfet, 520 Mhz, 3 W, 12.5 V
--最小包装量--
MRF1513NT1详情
NXP USA Inc. MRF1513NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
PLD-1.5
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Voltage Rated
40V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
额定电流
2A
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
频率
520MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF1513
JESD-30代码
R-PQSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
50mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
15dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
DS 击穿电压-最小值
40V
功率 - 输出
3W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
31.2W
电压-测试
12.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF1513NT1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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