MRF1517NT1备选型号: PD84006L-E

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  • 生命周期状态
  • 底架
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
    10 Weeks
    PLD-1.5
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e3
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    4A
    QUAD
    无铅
    260
    not_compliant
    520MHz
    40
    MRF1517
    R-PQSO-N4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    14dB
    4A
    25V
    8W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    62.5W
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ
    11 Weeks
    8-PowerVDFN
    -
    -
    1
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    哑光锡
    -
    5A
    DUAL
    -
    225
    -
    870MHz
    -
    PD84006
    S-PDSO-N8
    -
    -
    增强型MOSFET
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15dB
    5A
    -
    2W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    14
    150°C
    -65°C
    31W
    8
    Single
    31W
    25V
    5A
    15V
    6W
    25V
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