注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥55.72667
10
¥52.572331
100
¥49.596541
500
¥46.789189
1000
¥44.140744
STMicroelectronics PD84006L-E
- 收藏
- 对比
PD84006L-E
2381-PD84006L-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-PowerVDFN
大陆
立即发货

FET RF 25V 870MHZ
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PD84006L-E详情
STMicroelectronics PD84006L-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
11 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
14
Number of Elements
1
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
31W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
额定电流
5A
频率
870MHz
基本部件号
PD84006
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N8
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
31W
箱体转运
SOURCE
测试电流
150mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
增益
15dB
最大输出功率
6W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏源击穿电压
25V
功率 - 输出
2W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
7.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD84006L-E拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。