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首页 全部分类 MRF6V2010GNR1 vs MRFE6VS25NR1

MRF6V2010GNR1备选型号: MRFE6VS25NR1

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  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 环境耗散-最大值
  • NXP USA Inc.
    MRF6V2010GNR1
    NXP USA Inc.
    Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN
    10 Weeks
    TO-270BA
    110V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    3 (168 Hours)
    220MHz
    MRF6V2010
    30mA
    LDMOS
    23.9dB
    10W
    50V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VS25NR1
    NXP USA Inc.
    RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V TO270-2
    10 Weeks
    TO-270AA
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    3 (168 Hours)
    512MHz
    MRFE6VS25
    10mA
    LDMOS
    25.4dB
    25W
    50V
    ROHS3 Compliant
    YES
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    40
    R-PDFM-F2
    Single
    增强型MOSFET
    N-CHANNEL
    133V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    25W
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