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首页 全部分类 MRF6V2010GNR1 vs MW6S010GNR1

MRF6V2010GNR1备选型号: MW6S010GNR1

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  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • NXP USA Inc.
    MRF6V2010GNR1
    NXP USA Inc.
    Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN
    10 Weeks
    TO-270BA
    110V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    3 (168 Hours)
    220MHz
    MRF6V2010
    30mA
    LDMOS
    23.9dB
    10W
    50V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • NXP USA Inc.
    MW6S010GNR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
    10 Weeks
    TO-270BA
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    3 (168 Hours)
    960MHz
    MW6S010
    125mA
    LDMOS
    18dB
    10W
    28V
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    not_compliant
    40
    R-PDSO-G2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    68V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    61.4W
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MW6S010GNR1 MW6S010GNR1 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-270BA Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R 对比
MMRF1304NR1 MMRF1304NR1 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-270AA Trans MOSFET N-CH 142V 2-Pin TO-270G T/R 对比