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首页 全部分类 MRF7P20040HSR3 vs DMP56D0UV-7

MRF7P20040HSR3备选型号: DMP56D0UV-7

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRF7P20040HSR3
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-780S T/R
    NI-780S-4
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    8541.29.00.75
    FLAT
    260
    2.03GHz
    40
    MRF7P20040
    R-CDFP-F4
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    18.2dB
    65V
    10W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    32V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP56D0UV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
    SOT-563, SOT-666
    -
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    FLAT
    260
    -
    30
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6
    3.005049mg
    -55°C~150°C TJ
    e3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    400mW
    AEC-Q101
    Dual
    400mW
    4.46 ns
    2 P-Channel (Dual)
    6 Ω @ 100mA, 4V
    1.2V @ 250μA
    50.54pF @ 25V
    0.58nC @ 4V
    6.63ns
    50V
    15 ns
    160mA
    8V
    6Ohm
    -50V
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    无铅
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