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首页 全部分类 MRF9002NR2 vs SH8M41TB1

MRF9002NR2备选型号: SH8M41TB1

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  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • NXP USA Inc.
    MRF9002NR2
    NXP USA Inc.
    FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
    16-SOP (0.276, 7.00mm Width)
    65V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    未说明
    960MHz
    未说明
    25mA
    LDMOS
    18dB
    37dBm
    26V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    SH8M41TB1
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    3.4A 2.6A
    Tape & Reel (TR)
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    表面贴装
    8
    150°C TJ
    2W
    *M41
    2W
    N and P-Channel
    130m Ω @ 3.4A, 10V
    2.5V @ 1mA
    600pF @ 10V
    9.2nC @ 5V
    2.6A
    80V
    逻辑电平门
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