ROHM Semiconductor SP8K33FRATB

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Number of Elements

2

操作温度

150°C

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

48m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

2.5V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.056Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant