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首页 全部分类 MRF9002NR2 vs SP8K33FRATB

MRF9002NR2备选型号: SP8K33FRATB

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  • 配置
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • NXP USA Inc.
    MRF9002NR2
    NXP USA Inc.
    FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
    16-SOP (0.276, 7.00mm Width)
    65V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    未说明
    960MHz
    未说明
    25mA
    LDMOS
    18dB
    37dBm
    26V
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • ROHM Semiconductor
    SP8K33FRATB
    ROHM Semiconductor
    4V DRIVE NCH NCH MOSFET (CORRESP
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    5A Ta
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    20 Weeks
    表面贴装
    YES
    8
    SILICON
    150°C
    Automotive, AEC-Q101
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    not_compliant
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    48m Ω @ 5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    620pF @ 10V
    12nC @ 5V
    60V
    5A
    2.5V
    5A
    0.056Ohm
    20A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    Unknown
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