MRFE6S9160HR3备选型号: MRFE6P9220HR3
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- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-780 T/RSOT-957A66VTape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)EAR998541.29.00.75unknown880MHzMRFE6S91601.2ALDMOS21dB35W28VROHS3 Compliant----------------
- Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/RNI-860C32Tape & Reel (TR)2009Obsolete3 (168 Hours)EAR998541.29.00.75-880MHz-1.6ALDMOS20dB47W28VROHS3 CompliantYESSILICON4DUALFLAT26040R-CDFM-F4不合格COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS增强型MOSFETSOURCEAMPLIFIERN-CHANNEL66VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRFE6P9220HR3 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | NI-860C3 | Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R | 对比 |
![]() | LET20045C | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | M243 | RF MOSFET Transistors RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH | 对比 |
![]() | MRFE6S9125NBR1 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | TO-272BB | Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-272 W T/R | 对比 |






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